SI7145DP-T1-GE3-VB
IC
DFN-8-EP(5x6)
可供量大可议
SI7145DP-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -100A； RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款单P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8-EP(5x6)
库存
10
货期
现货
SI7145DP-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI7145DP-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； P—Channel沟道, -30V； -100A； RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款单P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。
SI7145DP-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI7145DP-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。