SI7145DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SI7145DP-T1-GE3-HXY
热销SI7145DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用DFN5X6-8L封装技术， 整合小巧体积与高效散热功能。 该器件性能卓越， 具有30V的最高耐压值(VDSS)， 支持高达110A的连续工作电流， 其导通电阻(RD(on))低至3mΩ， 确保了优异的电能转换效率和低功耗表现。 广泛应用于大电流负载场景， 如电源转换、电机驱动等行业， 是提升系统性能和节能效果的理想半导体解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
192
货期
现货
SI7145DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 192 |
SI7145DP-T1-GE3-HXY概述
热销SI7145DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用DFN5X6-8L封装技术， 整合小巧体积与高效散热功能。 该器件性能卓越， 具有30V的最高耐压值(VDSS)， 支持高达110A的连续工作电流， 其导通电阻(RD(on))低至3mΩ， 确保了优异的电能转换效率和低功耗表现。 广泛应用于大电流负载场景， 如电源转换、电机驱动等行业， 是提升系统性能和节能效果的理想半导体解决方案。
SI7145DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7145DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。