SI7145DP-T1-GE3
IC
可供量大可议
SI7145DP-T1-GE3
6.25W(Ta)， 104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A, 10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
品牌
VISHAY
封装
库存
7,711
货期
现货
SI7145DP-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7711 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2617+ |
SI7145DP-T1-GE3概述
6.25W(Ta)， 104W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 413nC@ 10 V 1个P沟道 30V 2.6mΩ@ 25A, 10V 60A 15.66nF@15V 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
SI7145DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7145DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。