SI7139DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SI7139DP-T1-GE3-HXY
SI7139DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 不仅具有良好的散热性能， 而且体型小巧便于集成。 器件关键参数如下最高漏源电压(VDSS)为30V， 能承受高达70A的连续电流， 且拥有6mΩ的低导通电阻(RD(on))， 确保了高效的功率转换与较低的能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动等领域， 是优化系统性能、达成节能目标的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
3
货期
现货
SI7139DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SI7139DP-T1-GE3-HXY概述
SI7139DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 不仅具有良好的散热性能， 而且体型小巧便于集成。 器件关键参数如下最高漏源电压(VDSS)为30V， 能承受高达70A的连续电流， 且拥有6mΩ的低导通电阻(RD(on))， 确保了高效的功率转换与较低的能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动等领域， 是优化系统性能、达成节能目标的理想半导体组件。
SI7139DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7139DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。