SI7139DP-T1-GE3
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
SI7139DP-T1-GE3
ID:𛾾 򏟋 A, VDSS:򬓹 򏟋 V, RDON:𮧂 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:P沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5X6-8L
库存
20
货期
现货
SI7139DP-T1-GE3参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
SI7139DP-T1-GE3概述
ID:𛾾 򏟋 A, VDSS:򬓹 򏟋 V, RDON:𮧂 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:P沟道
SI7139DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7139DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。