SI7129DN-T1-GE3-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和32A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至10毫欧， 可支持高效功率传输。 采用P沟道结构， 适用于各类中高功率电源管理场景， 如直流电源转换、负载开关控制及电池管理系统等。 器件具备良好的热稳定性和响应速度， 能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能， 适合用于对效率与空间布局均有要求的电路设计。