SI7123DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7123DN-T1-GE3-MS
此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管， 采用先进 DFN3X3-8L 封装， 兼顾空间节省与高效散热； 20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID）， 保障高电流场景可靠运行； 7.5mΩ 业界领先导通电阻（RD (on)）大幅提升系统能效、减少冗余功耗。 器件专为电源开关、电池管理系统等高电流应用设计， 是高效能低损耗解决方案的理想选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
998
货期
现货
SI7123DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 998 |
SI7123DN-T1-GE3-MS概述
此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管， 采用先进 DFN3X3-8L 封装， 兼顾空间节省与高效散热； 20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID）， 保障高电流场景可靠运行； 7.5mΩ 业界领先导通电阻（RD (on)）大幅提升系统能效、减少冗余功耗。 器件专为电源开关、电池管理系统等高电流应用设计， 是高效能低损耗解决方案的理想选择。
SI7123DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7123DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。