SI7121DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7121DN-T1-GE3-MS
此款SI7121DN-T1-GE3-MS是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET， 专为高功率密度应用设计。 该器件提供30V的额定电压VDSS， 最大连续漏极电流可达25A， 体现卓越的电流处理能力。 尤为突出的是其低至16mΩ的导通电阻RD(on)， 大幅减少功率损耗， 提升能源利用效率。 广泛适用于电源转换器、电池管理系统及大电流电机驱动等场景， SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您实现高效、可靠电路设计的理想之选。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1,000
货期
现货
SI7121DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
SI7121DN-T1-GE3-MS概述
此款SI7121DN-T1-GE3-MS是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET， 专为高功率密度应用设计。 该器件提供30V的额定电压VDSS， 最大连续漏极电流可达25A， 体现卓越的电流处理能力。 尤为突出的是其低至16mΩ的导通电阻RD(on)， 大幅减少功率损耗， 提升能源利用效率。 广泛适用于电源转换器、电池管理系统及大电流电机驱动等场景， SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您实现高效、可靠电路设计的理想之选。
SI7121DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7121DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。