SI7121ADN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7121ADN-T1-GE3-MS
此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道， 采用 DFN3X3-8L 封装设计， 同步提升集成密度与散热性能； 30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力， 13mΩ 超低 RD (on) 显著提升系统能效， 广泛适配高级电源管理、电机驱动控制场景， 是优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
105
货期
现货
SI7121ADN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 105 |
SI7121ADN-T1-GE3-MS概述
此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道， 采用 DFN3X3-8L 封装设计， 同步提升集成密度与散热性能； 30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力， 13mΩ 超低 RD (on) 显著提升系统能效， 广泛适配高级电源管理、电机驱动控制场景， 是优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
SI7121ADN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI7121ADN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。