SI7114DN-T1-E3-MS

此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计， 采用 DFN3X3-8L紧凑型封装， 精准适配高功率密度与高效能应用设计需求； 30V漏源电压VDSS为基础， 搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力， 实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同， 有效降低功耗的同时保障强功率输出。 器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景， 凭借卓越的电流处理能力与能效表现， 成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。