SI7114DN-T1-E3-HXY

SI7114DN-T1-E3 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为高功率密度和高效能应用设计。 器件具备30V的漏源电压(VDSS)， 在低至6mR的导通电阻(RD(on))条件下， 可承载高达60A的漏极电流(ID)。 广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景， 凭借其卓越的电流处理能力和能效表现， 成为您优化系统性能和节能的重要半导体元件。