SI7112DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8
可供量大可议
SI7112DN-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装， 高度仅1.07 mm。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：同步整流
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8
库存
2,585
货期
现货
SI7112DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2585 |
SI7112DN-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装， 高度仅1.07 mm。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：同步整流
SI7112DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7112DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。