SI7106DN-T1-E3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SI7106DN-T1-E3-MS
此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道， 它采用DFN3X3-8L 小型化封装， 提升空间利用率且强化电力处理能力； 20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能， 4mΩ 超低导通电阻有效降损耗、提效能， 适配电源转换、大电流开关控制等严苛场景， 带来高水准能效体验。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1,000
货期
现货
SI7106DN-T1-E3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
SI7106DN-T1-E3-MS概述
此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道， 它采用DFN3X3-8L 小型化封装， 提升空间利用率且强化电力处理能力； 20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能， 4mΩ 超低导通电阻有效降损耗、提效能， 适配电源转换、大电流开关控制等严苛场景， 带来高水准能效体验。
SI7106DN-T1-E3-MS特性
暂无产品特性。
SI7106DN-T1-E3-MS应用领域
暂无应用领域。