SI6968BEDQ-T1-E3
IC
TSSOP-8
可供量大可议
SI6968BEDQ-T1-E3
特性：沟道式功率MOSFET具备静电放电保护：3000V。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档
品牌
VISHAY
封装
TSSOP-8
库存
59
货期
现货
SI6968BEDQ-T1-E3参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
SI6968BEDQ-T1-E3概述
特性：沟道式功率MOSFET具备静电放电保护：3000V。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档
SI6968BEDQ-T1-E3特性
暂无产品特性。
SI6968BEDQ-T1-E3应用领域
暂无应用领域。