SI6562CDQ-T1-GE3
IC
TSSOP-8
可供量大可议
SI6562CDQ-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 1.6W； 1.7W 20V 6.7A； 6.1A 1个N沟道+1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
TSSOP-8
库存
10,919
货期
现货
SI6562CDQ-T1-GE3参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 850pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,919 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W； 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI6562CDQ-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.6W； 1.7W 20V 6.7A； 6.1A 1个N沟道+1个P沟道
SI6562CDQ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI6562CDQ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。