SI6562CDQ-T1-BE3
IC
TSSOP-8
可供量大可议
SI6562CDQ-T1-BE3
特性：无卤素TrenchFET功率MOSFET。 LITTLE FOOT TSSOP-8 MOSFETs比LITTLE FOOT SOICs占用空间更小、外形更低， 同时保持低导通电阻和高散热性能。 LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET所需的PC板面积约为同等LITTLE FOOT器件的一半。 封装高度降至1.1 mm。 标准引脚排列的改变使互连电阻对导通电阻的影响最小化， 并使热量从封装中传递最大化。 单芯片的最大热阻结到环境为83℃/W， 双芯片部件为125℃/W。 应用：负载开关。 DC/DC转换器
品牌
VISHAY
封装
TSSOP-8
库存
1,128
货期
现货
SI6562CDQ-T1-BE3参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1128 |
SI6562CDQ-T1-BE3概述
特性：无卤素TrenchFET功率MOSFET。 LITTLE FOOT TSSOP-8 MOSFETs比LITTLE FOOT SOICs占用空间更小、外形更低， 同时保持低导通电阻和高散热性能。 LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET所需的PC板面积约为同等LITTLE FOOT器件的一半。 封装高度降至1.1 mm。 标准引脚排列的改变使互连电阻对导通电阻的影响最小化， 并使热量从封装中传递最大化。 单芯片的最大热阻结到环境为83℃/W， 双芯片部件为125℃/W。 应用：负载开关。 DC/DC转换器
SI6562CDQ-T1-BE3特性
暂无产品特性。
SI6562CDQ-T1-BE3应用领域
暂无应用领域。