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SI6475DQ-VB
IC

TSSOP-8

可供量大可议

SI6475DQ-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种电源和功率控制应用。 TSSOP8; P—Channel沟道, -20V; -9A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.45~1V

品牌

VBsemi

封装

TSSOP-8

库存

10

货期

现货

SI6475DQ-VB参数

封装TSSOP-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

SI6475DQ-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种电源和功率控制应用。 TSSOP8; P—Channel沟道, -20V; -9A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.45~1V

SI6475DQ-VB特性

暂无产品特性。

SI6475DQ-VB应用领域

暂无应用领域。

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