SI5936DU-T1-GE3
IC
SMD
可供量大可议
SI5936DU-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK ChipFET封装。 小尺寸。 低导通电阻。 0.8mm薄型。 100% Rg测试。 应用：网络系统电源DC/DC
品牌
VISHAY
封装
SMD
库存
1,309
货期
现货
SI5936DU-T1-GE3参数
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1309 |
SI5936DU-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK ChipFET封装。 小尺寸。 低导通电阻。 0.8mm薄型。 100% Rg测试。 应用：网络系统电源DC/DC
SI5936DU-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI5936DU-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。