SI5935CDC-T1-GE3
IC
SMD-8P
可供量大可议
SI5935CDC-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关。 电池开关
品牌
VISHAY
封装
SMD-8P
库存
8,465
货期
现货
SI5935CDC-T1-GE3参数
| 封装 | SMD-8P |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8465 |
SI5935CDC-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关。 电池开关
SI5935CDC-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI5935CDC-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。