SI5468DC-T1-GE3
IC
SMD-8P, 3.2x1.6mm
可供量大可议
SI5468DC-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 应用：系统电源。 笔记本电脑
品牌
VISHAY
封装
SMD-8P, 3.2x1.6mm
库存
472
货期
现货
SI5468DC-T1-GE3参数
| 封装 | SMD-8P, 3.2x1.6mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 472 |
SI5468DC-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 应用：系统电源。 笔记本电脑
SI5468DC-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI5468DC-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。