SI5457DC-T1-GE3
IC
SMD-8P, 3.2x1.6mm
可供量大可议
SI5457DC-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档。 应用：便携式设备。 负载开关
品牌
VISHAY
封装
SMD-8P, 3.2x1.6mm
库存
1,749
货期
现货
SI5457DC-T1-GE3参数
| 封装 | SMD-8P, 3.2x1.6mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1749 |
SI5457DC-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档。 应用：便携式设备。 负载开关
SI5457DC-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI5457DC-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。