SI4947ADY-T1-E3-VB
自营可供
IC
SO-8
SI4947ADY-T1-E3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双通道功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于需要高功率和高耐压的应用场景， 包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -30V； -7.3A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
交期
现货
批次
—
SI4947ADY-T1-E3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V； 40mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
| 商品型号 | SI4947ADY-T1-E3-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000217 |
SI4947ADY-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双通道功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于需要高功率和高耐压的应用场景， 包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -30V； -7.3A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
SI4947ADY-T1-E3-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
SI4947ADY-T1-E3-VB应用领域
- 负载开关