SI4946BEY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4946BEY-T1-GE3-HXY
本款N+N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为6.5A， 漏源击穿电压VDSS为60V， 导通电阻RDON为32mΩ。 该器件采用双沟道结构， 适合需要双向控制与功率切换的应用场景。 广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关及各类便携式电子设备中的功率调节模块， 具备良好的热稳定性和动态响应能力， 适用于多种中低压电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
424
货期
现货
SI4946BEY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 424 |
SI4946BEY-T1-GE3-HXY概述
本款N+N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为6.5A， 漏源击穿电压VDSS为60V， 导通电阻RDON为32mΩ。 该器件采用双沟道结构， 适合需要双向控制与功率切换的应用场景。 广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关及各类便携式电子设备中的功率调节模块， 具备良好的热稳定性和动态响应能力， 适用于多种中低压电路设计需求。
SI4946BEY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4946BEY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。