SI4946BEY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4946BEY-T1-E3-HXY
型号SI4946BEY-T1-E3 的N+N沟道MOS管， 采用SOP-8封装技术， 专为高效能、高集成度的电子设计打造。 该器件具备出色的工作性能， 最大电压VDSS高达60V， 连续电流ID支持6.5A， 适用于高电压大电流应用场景。 导通电阻RD(on)低至32mR， 显著减少功率损耗， 提升系统能效比。 广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域， 是工程师在设计高性能、节能型电路时的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
30
货期
现货
SI4946BEY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
SI4946BEY-T1-E3-HXY概述
型号SI4946BEY-T1-E3 的N+N沟道MOS管， 采用SOP-8封装技术， 专为高效能、高集成度的电子设计打造。 该器件具备出色的工作性能， 最大电压VDSS高达60V， 连续电流ID支持6.5A， 适用于高电压大电流应用场景。 导通电阻RD(on)低至32mR， 显著减少功率损耗， 提升系统能效比。 广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域， 是工程师在设计高性能、节能型电路时的理想选择。
SI4946BEY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4946BEY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。