SI4936BDY-T1-GE3-HXY

本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET）， 漏极连续电流ID为6A， 漏源电压VDSS达30V， 适用于多种中低功率电路设计。 导通电阻RDON为25mΩ， 有助于减少导通状态下的能量损耗， 提升系统整体效率。 该器件采用双沟道结构， 具备良好的热稳定性和抗干扰能力， 适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关及便携式电子设备中的功率控制应用， 性能可靠， 响应速度快， 能够满足多样化电子系统的设计需求。