SI4931DY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4931DY-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 先进的高单元密度工艺。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：负载开关
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
9
货期
现货
SI4931DY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
SI4931DY-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 先进的高单元密度工艺。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：负载开关
SI4931DY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4931DY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。