SI4925DDY-T1-GE3-VB
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4925DDY-T1-GE3-VB
台积电流片, 长电封测。 P+P沟道, -򬓹 򏟋 V, -򑵼 A, RDS(ON), 򘞟 󗙻 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V); -󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOP򑵼 具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点; 适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
品牌
VBsemi
封装
SOP-8
库存
100
货期
现货
SI4925DDY-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SI4925DDY-T1-GE3-VB概述
台积电流片, 长电封测。 P+P沟道, -򬓹 򏟋 V, -򑵼 A, RDS(ON), 򘞟 󗙻 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V); -󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOP򑵼 具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点; 适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
SI4925DDY-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI4925DDY-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。