SI4925BDY-T1-E3-HXY

SI4925BDY-T1-E3 型号MOS管采用紧凑型SOP-8封装， 内部集成高效2个P沟道沟道技术。 器件支持30V的漏源电压(VDSS)， 能稳定处理8.5A的连续漏极电流(ID)， 适用于各类中高电流应用场合。 其亮点在于仅20mR的导通电阻(RD(on))， 有效提升能源利用率并降低功耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各类高效率开关电路设计， 是工程师优化电路性能、实现节能目标的理想半导体组件。