SI4920DY-HXY

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构， 支持双向导流， 具备良好的开关特性和导通能力。 其最大漏极电流ID为6A， 漏源耐压VDSS达30V， 适用于中低功率电源转换场景。 导通电阻RDON仅为25mΩ， 有效降低导通损耗， 提升整体效率。 该器件可广泛应用于中小型电子设备中的DC-DC变换、电池管理、电机驱动及负载控制等电路设计中， 具有较强的适应性与稳定性。