SI4909DY-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SI4909DY-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电源和功率控制应用， 包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -30V； -8A； RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
Brand
VBsemi
Package
SO-8
Stock
148
货期
现货
SI4909DY-VBParameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 148 |
SI4909DY-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电源和功率控制应用， 包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -30V； -8A； RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
SI4909DY-VB特性
暂无产品特性。
SI4909DY-VB应用领域
暂无应用领域。