SI4896DY-T1-GE3
IC
SOIC-8
可供量大可议
SI4896DY-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 符合 RoHS 指令 2302/95/EC
品牌
VISHAY
封装
SOIC-8
库存
18
货期
现货
SI4896DY-T1-GE3参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
SI4896DY-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 符合 RoHS 指令 2302/95/EC
SI4896DY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4896DY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。