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SI4894BDY-T1-GE3-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

SI4894BDY-T1-GE3-HXY

这款N沟道场效应管专为30V低压大电流场景打造。 其核心亮点在于9mΩ的极致低导通电阻, 能有效降低大功率传输时的传导损耗, 显著提升能效。 器件具备10A的连续漏极电流承载能力, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 确保了在复杂驱动环境下的运行稳定性。 在应用方面, 它非常适合用于DC-DC转换器、开关电源及高功率电源管理系统, 能够胜任超大电流负载开关等核心功率控制任务, 是构建高功率密度电路的理想选择。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOP-8

Stock

48

货期

现货

SI4894BDY-T1-GE3-HXYParameters

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SI4894BDY-T1-GE3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为30V低压大电流场景打造。 其核心亮点在于9mΩ的极致低导通电阻, 能有效降低大功率传输时的传导损耗, 显著提升能效。 器件具备10A的连续漏极电流承载能力, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 确保了在复杂驱动环境下的运行稳定性。 在应用方面, 它非常适合用于DC-DC转换器、开关电源及高功率电源管理系统, 能够胜任超大电流负载开关等核心功率控制任务, 是构建高功率密度电路的理想选择。

SI4894BDY-T1-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SI4894BDY-T1-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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