SI4894BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4894BDY-T1-GE3-HXY
这款N沟道场效应管专为30V低压大电流场景打造。 其核心亮点在于9mΩ的极致低导通电阻, 能有效降低大功率传输时的传导损耗, 显著提升能效。 器件具备10A的连续漏极电流承载能力, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 确保了在复杂驱动环境下的运行稳定性。 在应用方面, 它非常适合用于DC-DC转换器、开关电源及高功率电源管理系统, 能够胜任超大电流负载开关等核心功率控制任务, 是构建高功率密度电路的理想选择。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOP-8
Stock
48
货期
现货
SI4894BDY-T1-GE3-HXYParameters
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SI4894BDY-T1-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为30V低压大电流场景打造。 其核心亮点在于9mΩ的极致低导通电阻, 能有效降低大功率传输时的传导损耗, 显著提升能效。 器件具备10A的连续漏极电流承载能力, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 确保了在复杂驱动环境下的运行稳定性。 在应用方面, 它非常适合用于DC-DC转换器、开关电源及高功率电源管理系统, 能够胜任超大电流负载开关等核心功率控制任务, 是构建高功率密度电路的理想选择。
SI4894BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4894BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
