SI4884BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4884BDY-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有要求的电子设备。 典型应用场景包括开关电源、便携式设备的电源管理、电机驱动及各类需要高效开关操作的电路中， 能够在高频率工作条件下保持稳定可靠的性能。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOP-8
Stock
10
货期
现货
SI4884BDY-T1-GE3-HXYParameters
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI4884BDY-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有要求的电子设备。 典型应用场景包括开关电源、便携式设备的电源管理、电机驱动及各类需要高效开关操作的电路中， 能够在高频率工作条件下保持稳定可靠的性能。
SI4884BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4884BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。