SI4884BDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4884BDY-T1-E3-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 凭借较低的导通电阻， 器件在导通状态下功耗较小， 有助于提升整体能效。 适用于需要高效功率开关的场合， 如电源管理模块、电池供电设备及各类电子负载控制电路， 能够在频繁开关条件下保持稳定工作性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
85
货期
现货
SI4884BDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
SI4884BDY-T1-E3-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 凭借较低的导通电阻， 器件在导通状态下功耗较小， 有助于提升整体能效。 适用于需要高效功率开关的场合， 如电源管理模块、电池供电设备及各类电子负载控制电路， 能够在频繁开关条件下保持稳定工作性能。
SI4884BDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4884BDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。