SI4880DY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4880DY-T1-E3-HXY
该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在导通状态下， 较低的电阻值有助于减少功率损耗与发热， 提升整体能效。 器件适用于对效率和热性能敏感的电源管理、便携式电子设备以及高频开关电路等场景， 能够在紧凑布局中维持良好的电气性能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
85
货期
现货
SI4880DY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
SI4880DY-T1-E3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在导通状态下， 较低的电阻值有助于减少功率损耗与发热， 提升整体能效。 器件适用于对效率和热性能敏感的电源管理、便携式电子设备以及高频开关电路等场景， 能够在紧凑布局中维持良好的电气性能与稳定性。
SI4880DY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4880DY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。