SI4848BDY-T1-GE3
IC
SOIC-8
可供量大可议
SI4848BDY-T1-GE3
N沟道150V(D-S) MOSFET， 采用SO-8单封装， TrenchFET Gen V功率MOSFET， 100% Rg测试， 符合RoHS标准， 无卤素
品牌
VISHAY
封装
SOIC-8
库存
30
货期
现货
SI4848BDY-T1-GE3参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
SI4848BDY-T1-GE3概述
N沟道150V(D-S) MOSFET， 采用SO-8单封装， TrenchFET Gen V功率MOSFET， 100% Rg测试， 符合RoHS标准， 无卤素
SI4848BDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4848BDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。