SI4825DY-T1-E3-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源击穿电压（VDSS）， 支持11A连续漏极电流（ID）。 其导通电阻（RDON）低至13毫欧， 有效降低导通损耗并提升能效。 凭借低内阻特性， 该器件适用于电池保护电路、负载开关及便携式设备的电源管理模块， 能够在紧凑空间内实现高效的电流控制与热性能平衡， 满足消费电子对高集成度电源解决方案的需求。