SI4822DY-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为15A， 漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDON为7.5mΩ。 该器件具备较低的导通损耗， 适用于多种功率管理场景， 如电源适配器、便携式储能设备、智能家电控制电路以及通信设备中的开关电源部分。 其高效率和小型化特性支持复杂电子系统在性能与空间设计上的优化需求。