SOP-8
SI4816BDY-T1-GE3-VB
台积电流片, 长电封测。 N+N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 񄂹 򑵼 /󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 󗙻 񄂹 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOP򑵼 具有高集成度、低导通电阻和良好的低压驱动特性; 适用于小型电机H桥驱动、高密度分布式电源节点、电磁阀或执行器控制、智能配电与负载管理等场景。
品牌
VBsemi
封装
SOP-8
库存
500
货期
现货
SI4816BDY-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SI4816BDY-T1-GE3-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N+N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 񄂹 򑵼 /󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 󗙻 񄂹 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOP򑵼 具有高集成度、低导通电阻和良好的低压驱动特性; 适用于小型电机H桥驱动、高密度分布式电源节点、电磁阀或执行器控制、智能配电与负载管理等场景。
SI4816BDY-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI4816BDY-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。