SI4812BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4812BDY-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管额定漏源电压为30V， 连续漏极电流达8.5A， 导通电阻典型值为14mΩ。 低导通阻抗有助于减少功率损耗并改善热表现。 适用于笔记本电脑主板供电、便携式设备负载开关及电池管理电路， 在紧凑设计中提供可靠的电流控制与高效的电源切换性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
SI4812BDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI4812BDY-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏源电压为30V， 连续漏极电流达8.5A， 导通电阻典型值为14mΩ。 低导通阻抗有助于减少功率损耗并改善热表现。 适用于笔记本电脑主板供电、便携式设备负载开关及电池管理电路， 在紧凑设计中提供可靠的电流控制与高效的电源切换性能。
SI4812BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4812BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。