SI4812BDY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4812BDY-T1-E3-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为8.5A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值14mΩ。 低导通阻抗特性有效降低了开关过程中的传导损耗， 提升了整体能效表现。 器件适用于服务器主板供电模块、显卡核心电压调节及高性能计算设备电源管理， 满足对高电流密度与热稳定性有严格要求的消费类电子应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
SI4812BDY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI4812BDY-T1-E3-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为8.5A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值14mΩ。 低导通阻抗特性有效降低了开关过程中的传导损耗， 提升了整体能效表现。 器件适用于服务器主板供电模块、显卡核心电压调节及高性能计算设备电源管理， 满足对高电流密度与热稳定性有严格要求的消费类电子应用场景。
SI4812BDY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4812BDY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。