SI4804CDY-T1-GE3-HXY

本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构， 具备优良的导通性能与快速开关特性。 其漏极电流能力为8.5A， 漏源电压耐受值为30V， 适用于多种中高功率电路应用场景。 17mΩ的低导通电阻（RDON）显著降低了导通损耗， 提高了系统整体效率。 该器件适合用于电源管理模块、消费类电子产品及便携式智能设备中的功率控制电路， 满足高效能与小型化设计需求。