SI4800BDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4800BDY-T1-GE3-HXY
SI4800BDY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装， 专为高效率电源管理和电机控制设计。 该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)， 能提供高达8.5A的连续电流， 且导通电阻低至14mΩ， 确保在大电流应用环境下仍然保持卓越的性能和能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景， 为您的电路设计带来强大的电流处理能力和杰出的电气性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
SI4800BDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
SI4800BDY-T1-GE3-HXY概述
SI4800BDY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装， 专为高效率电源管理和电机控制设计。 该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)， 能提供高达8.5A的连续电流， 且导通电阻低至14mΩ， 确保在大电流应用环境下仍然保持卓越的性能和能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景， 为您的电路设计带来强大的电流处理能力和杰出的电气性能表现。
SI4800BDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4800BDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。