SI4776DY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4776DY-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为8.5安培， 漏源击穿电压达30伏， 导通电阻低至14毫欧。 凭借低导通损耗特性， 器件适用于高效率电源转换模块、电池管理系统及便携式设备供电电路。 在直流电机驱动与负载开关应用中， 其优异的电流承载能力可确保系统稳定运行， 满足消费电子与通信设备对紧凑布局及热管理的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
SI4776DY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI4776DY-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为8.5安培， 漏源击穿电压达30伏， 导通电阻低至14毫欧。 凭借低导通损耗特性， 器件适用于高效率电源转换模块、电池管理系统及便携式设备供电电路。 在直流电机驱动与负载开关应用中， 其优异的电流承载能力可确保系统稳定运行， 满足消费电子与通信设备对紧凑布局及热管理的设计需求。
SI4776DY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4776DY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。