SI4688DY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4688DY-T1-GE3-HXY
这款N沟道场效应管专为30V电压平台设计， 在10V栅极驱动下， 导通电阻低至9mΩ， 支持10A连续电流， 栅源耐压可达20V。 低导通损耗特性使其非常适合大电流开关电源、DC-DC转换器及各类电源管理模块。 其紧凑的封装与高效能表现， 尤其适用于对空间与热管理有严苛要求的便携式设备、智能终端及高性能计算板卡， 是实现高效电能转换与分配的可靠选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
20
货期
现货
SI4688DY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SI4688DY-T1-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为30V电压平台设计， 在10V栅极驱动下， 导通电阻低至9mΩ， 支持10A连续电流， 栅源耐压可达20V。 低导通损耗特性使其非常适合大电流开关电源、DC-DC转换器及各类电源管理模块。 其紧凑的封装与高效能表现， 尤其适用于对空间与热管理有严苛要求的便携式设备、智能终端及高性能计算板卡， 是实现高效电能转换与分配的可靠选择。
SI4688DY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4688DY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。