SI4688DY-T1-E3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI4688DY-T1-E3-HXY
这款N沟道场效应管在30V漏源电压下， 可承载10A连续电流， 其9mΩ的低导通电阻有效降低了功率损耗与热积累。 ±20V的栅源电压容限为驱动电路设计提供了充足的安全裕度。 这些特性使其成为中低压功率路径管理的理想选择， 尤其适用于需要高效能与高可靠性的场景， 如服务器主板的VRM模块、高端显卡的供电电路、以及各类高性能存储设备的电源分配网络。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
15
货期
现货
SI4688DY-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
SI4688DY-T1-E3-HXY概述
这款N沟道场效应管在30V漏源电压下， 可承载10A连续电流， 其9mΩ的低导通电阻有效降低了功率损耗与热积累。 ±20V的栅源电压容限为驱动电路设计提供了充足的安全裕度。 这些特性使其成为中低压功率路径管理的理想选择， 尤其适用于需要高效能与高可靠性的场景， 如服务器主板的VRM模块、高端显卡的供电电路、以及各类高性能存储设备的电源分配网络。
SI4688DY-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
SI4688DY-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。