SI4590DY-T1-GE3-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SI4590DY-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； N+P—Channel沟道, ±100V； 6.3/-5.2A； RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±3V； 是一款双N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率控制应用。
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
SI4590DY-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SI4590DY-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； N+P—Channel沟道, ±100V； 6.3/-5.2A； RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±3V； 是一款双N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率控制应用。
SI4590DY-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI4590DY-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。