SI4559ADY-T1-GE3-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SI4559ADY-T1-GE3-VB
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 沟槽功率 MOSFET。 100% 进行 Rg 和 UIE 测试。 应用：CCFL 逆变器
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
40
货期
现货
SI4559ADY-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI4559ADY-T1-GE3-VB概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 沟槽功率 MOSFET。 100% 进行 Rg 和 UIE 测试。 应用：CCFL 逆变器
SI4559ADY-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI4559ADY-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。