SI4497DY-VB
自营可供
IC
SO-8
SI4497DY-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道MOSFET功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于需要高功率和高效能耗的应用场景， 包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -18A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.2V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
交期
现货
批次
—
SI4497DY-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 5.6W |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
| 商品型号 | SI4497DY-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00024 |
SI4497DY-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道MOSFET功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于需要高功率和高效能耗的应用场景， 包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -18A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.2V
SI4497DY-VB特性
- 沟槽第四代P沟道功率MOSFET
- 可实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SI4497DY-VB应用领域
- 移动设备电池管理-适配器和充电器开关-电池开关-负载开关