SI4491EDY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI4491EDY-T1-GE3
特性：扩展的VGS范围 (±25V)， 适用于适配器开关应用。 极低的RDS(on)。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 典型ESD性能：4000V (4HM)。 应用：适配器开关， 负载开关。 电源管理
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
11
货期
现货
SI4491EDY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
SI4491EDY-T1-GE3概述
特性：扩展的VGS范围 (±25V)， 适用于适配器开关应用。 极低的RDS(on)。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 典型ESD性能：4000V (4HM)。 应用：适配器开关， 负载开关。 电源管理
SI4491EDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI4491EDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。